Nand Flash闪存和Nor Flash闪存有什么不同:

第一：写入/擦除操作的时间不同

读写擦除 NAND FLASH闪存器件以8～32KB的块进行，到执行同一写入/擦除的操作时间为4ms

读写擦除NOR FLASH闪存器件是以64～128KB的块进行，执行同一个写入/擦除操作的时间为5s

第二：接口不同

Nand Flash闪存使用较为复杂的I/O口来串行地存取数据，并且各个产品或厂商的方法可能各不相同。

Nor Flash闪存为SRAM接口，拥有足够的地址引脚用于寻址。

第三：容量成本不同

NAND Flash闪存的单元尺寸大约为NOR Flash闪存器件的一半，由于生产过程更为简单，因此价格较低。

NOR Flash闪存单元尺寸较大，生产过程也较为复杂，因此价格较高。

第四：耐用性不同

NAND Flash闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次。

NOR Flash闪存中每个块的最大擦写次数是十万次。

第五：NOR FLASH随机传bai输效率比NAND FLASH 高

原理：NORflash带有SRAM接口du，有足够的地址引脚来寻址zhi，可以很容易地存取其内dao部的每 一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同 。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

第六：Nand flash比nor flash更加易于使用

原理：可以非常直接地使用基于NOR Flash的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直 接运行代码。由于需要I/O接口，NAND FLASH要复杂得多。

各种NAND FLASH器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。

向NAND FLASH器件写 入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏 块写入，这就意味着在NAND FLASH器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

第七：升级

Nor Flash的升级较为麻烦，因为不同容量的Nor Flash的地址线需求不一样，所以在更换不同容量的Nor Flash芯片时不方便。而不同容量的Nand Flash的接口是固定的，所以升级简单。

第八：读写速度

NOR FLASH闪存的读速度比NAND FLASH闪存稍快一些。

扩展资料：

NOR FLASH闪存和NAND FLASH闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。许多业内人士也搞不清楚NAND FLASH闪存技术相对于NOR FLASH闪存技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写，这时NOR闪存更适合一些。而NAND FLASH则是高数据存储密度的理想解决方案。